【摘要】 本发明涉及一种光刻胶毛刺边缘形成方法和TFT-LCD阵列基板制造方 法。TFT-LCD阵列基板制造方法包括：在基板上形成栅线和栅电极图形；形 成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，保留光刻胶，沉积一层钝 化层，通过离地剥离工艺去除光刻胶以及其上的钝化层；涂敷光刻胶，在光 刻胶上形成尖峰状的毛刺边缘，沉积一层透明导电薄膜，通过离地剥离工艺 形成像素电极图形，像素电极直接与漏电极连接。本发明通过第三次构图工 艺形成光刻胶毛刺边缘，使沉积的透明导电薄膜在毛刺边缘发生断裂，有效 保证了离地剥离工艺的质量，制作工艺简单、可靠，容易在实际生产中实现， 具有广泛的应用前景。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810116879.0 【申请日】2008-07-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630640A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630640B 【授权公告日】2012-09-26 【授权公告年份】2012.0 【发明人】郑云友; 郑载润; 侯智; 刘祖宏; 李正勲 【主权项内容】1.一种光刻胶毛刺边缘形成方法，其特征在于，包括： 步骤100、在衬底上涂敷一层光刻胶； 步骤200、通过掩模曝光方式在光刻胶上形成使后续沉积的结构层发生 断裂的毛刺边缘。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】25 【被自引次数】8.0 【家族被引证次数】43
