【摘要】 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方 法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长 N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层；在生长P层 时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温 度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长 P+层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明， 处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压， 得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模 化生产的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118736.3 【申请日】2008-08-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656274A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656274B 【授权公告日】2011-04-13 【授权公告年份】2011.0 【发明人】石明吉; 曾湘波; 张长沙; 刘石勇; 彭文博; 肖海波 【主权项内容】1、一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，其特征在于， 该方法包括： 在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型 层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层； 在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保 持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀 t秒，接着生长P+层； 电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
