【摘要】 本发明涉及一种静电放电保护电路，包括第一接线端(VDD)和第二接线端(VM)，其特征在于还包括寄生场效应晶体管，所述寄生场效应晶体管的栅极和漏极相连，其源极和衬底相连，并且所述寄生场效应晶体管连接在第一接线端和第二接线端之间；当第二接线端出现相对第一接线端的正静电脉冲电压时，通过正向导通所述寄生场效应晶体管的漏极到其衬底的寄生二极管来泻放静电；当第二接线端出现相对第一接线端的负静电脉冲电压绝对值大于所述寄生场效应晶体管的导通阈值时，通过导通所述寄生场效应晶体管来泻放静电。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京中星微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦16层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810106100.7 【申请日】2008-05-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101339941B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101339941B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/60; H02H9/00 【发明人】王钊; 尹航 【主权项内容】一种静电放电保护电路，包括第一接线端(VDD)和第二接线端(VM)，其特征在于还包括寄生场效应晶体管，所述寄生场效应晶体管的栅极和漏极相连，其源极和衬底相连，并且所述寄生场效应晶体管连接在第一接线端和第二接线端之间；当第二接线端出现相对第一接线端的正静电脉冲电压时，通过正向导通所述寄生场效应晶体管的漏极到其衬底的寄生二极管来泻放静电；当第二接线端出现相对第一接线端的负静电脉冲电压绝对值大于所述寄生场效应晶体管的导通阈值时，通过导通所述寄生场效应晶体管来泻放静电。 【当前权利人】无锡中感微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911101087002349407 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】19
