【摘要】 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116414.5 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625971B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625971B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/302 【发明人】刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨辉 【主权项内容】一种利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在Ⅲ族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的Ⅲ族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的Ⅲ族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的Ⅲ族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的工艺。。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】16
