【摘要】 本发明公开了属于防伪技术领域的一种核径迹防伪转移膜及其制造方法。所述核径迹防伪转移膜包括热转移膜和冷转移膜，是在PET上涂布一层可以转移并可压制激光的多混树脂层构成。其制备工艺是经过压制激光全息图像、照射、成像、化学蚀刻、软水中清洗和烘干，将核径迹制作在热转移激光或冷转移激光层上，即完成核径迹防伪转移膜的制备。这样制造的防伪膜厚度只有1微米至几微米，无需冲切即可实现将具有防伪功能的核径迹通过热转移或冷转移的方法附加在任何包装形式的载体上，工艺成熟，适合大批量快速完成防伪技术的附加，并可精确定位。由于无须冲切，避免了快速机器贴标时象常规防伪标签生产中由于冲切引起的底带易断裂的问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810055625.2 【申请日】2008-01-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101239544B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101239544B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】B41M5/00; B41M1/30; B44C1/165; B44C1/22; B29C59/16 【发明人】王玉兰; 徐世平; 陈靖; 邢宾杰 【主权项内容】一种核径迹防伪冷转移膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)冷转移膜的制备：在PET上面依次层叠涂布丙烯酸酯离形层和由丙烯酸酯与环氧树脂组成的多混树脂层，其中在所述多混树脂层上压制有激光层；(2)照射：利用反应堆引起的裂变碎片照射步骤(1)中所制备的冷转移膜；在照射面上用凹版印刷热溶胶，形成所需图案；(3)化学蚀刻：用5N或6N浓度的NaOH，在40℃‑90℃温度下，蚀刻10分钟；(4)软水中清洗3次，总时间10分钟，50℃烘干2分钟；(5)成像：根据所需图案大小，用印刷机印刷UV固化油墨。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【家族被引证次数】3
