【摘要】 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空，随后通入CH4气体，调整腔体气压，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率；(4)调整工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源；(6)冷却10分钟以后，取出锗(Ge)基片，清理腔体；(7)再次放入锗(Ge)基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗(Ge)基片具有良好的增透和保护作用。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市海淀区新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227328.1 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736313A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736313B 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23C16/26; C23C16/52; C23C16/02 【发明人】刘慧舟; 杨坚; 杨玉卫; 冯校亮; 周其; 张华; 古宏伟 【主权项内容】一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空至小于1×10-3Pa，随后通入CH4气体，将腔体的气压调至30～45Pa，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率，使之稳定在800～900W之间；(4)将其它参数稳定在以下范围：工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源，结束第一次沉积；(6)冷却10分钟以后，取出锗基片，清理腔体；(7)再次放入锗基片，抽腔体真空至65～70Pa时，射频电源起辉，功率为400W，气压为65～70Pa，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复步骤(1)～(6)进行二次沉积。 【当前权利人】有研工程技术研究院有限公司 【当前专利权人地址】北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7
