【摘要】 一种氮化镓生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法，生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法，生长外延层。本发明的氮化镓生长方法，可以实现氮化镓材料的高质量生长和极性选择以及低成本衬底的使用。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224104.5 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728248A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/20; C30B29/38; C30B29/40; H01L21/02; C30B29/10 【发明人】段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 【主权项内容】一种氮化镓生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法，生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法，生长外延层。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】7 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】7
