【摘要】 本发明公开了一种气流诱导制备碳纳米管的方法及其产品，属于碳纳米管技术领域。 本发明方法采用化学气相沉积方法制备碳纳米管，并通过设置气流阻挡物改变流经基底上 方的反应气流的平流流型，控制碳纳米管的生长取向。具体来说，本发明可通过下述方法 实施：a)按照碳纳米管的目标取向在反应容器中设置气流阻挡物；b)在惰性环境下将反应 气通入反应容器并在反应温度下在基底上反应生成碳纳米管；c)在惰性环境下冷却并得到 目标取向的碳纳米管。本发明还请求保护上述方法制备的碳纳米管。采用本发明方法制备 的碳纳米管取向可控，密集度高，具有广泛的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810114486.6 【申请日】2008-06-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100594177C 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100594177C 【授权公告日】2010-03-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B31/02; B81C1/00 【发明人】刘宇; 李彦 【主权项内容】1、一种碳纳米管的制备方法，采用化学气相沉积方法制备，其特征在于通过设置气流阻 挡物改变流经基底上方的反应气流的平流流型，控制碳纳米管的生长取向，所述反应气流 的平流流型逼近所需的碳纳米管目标取向。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
