【摘要】 本发明涉及一种开口型双层纳米碳管分子级存储单元，该存储单元包括：双层纳米碳管，包括第一、第二外管和一个内管；读写电极，设在绝缘基体上，包括第一、第二电极和第三、第四电极，所述第一、第四电极或第二、第三电极与写入电路连接，控制所述内管停留在所述第一外管或第二外管内，并分别定义为“0”或“1”；所述第一、第三电极或第二、第四电极与读取电路连接通过检测不同的输出信号测定所述内层碳管所处的不同位置，进而读出数据“0”或“1”。本发明的技术方案通过碳管分子间的运动，利用纳米碳管独特的电学、力学性质，设计出双稳态分子存储单元，容易组装，具有很高的集成密度及较长的工作寿命，同时具有非易失性。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119712.X 【申请日】2008-09-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101354914B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101354914B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C13/00 【发明人】韩平畴; 叶森斌 【主权项内容】一种开口型双层纳米碳管分子级存储单元，其特征在于，该存储单元包括：双层纳米碳管，包括第一、第二外管和一个内管，所述第一、第二外管的两端设有开口，所述内管置于所述第一外管或所述第二外管内，所述内管的管径小于第一外管或第二外管的管径；读写电极，设在绝缘基体上，包括与所述绝缘基体垂直的第一、第二电极和与所述绝缘基体平行的第三、第四电极，所述第一、第二电极分别设在所述第一、第二外管的两侧，所述第三、第四电极分别设在所述第一、第二外管与所述绝缘基体之间，所述第一、第四电极或第二、第三电极与写入电路连接，控制所述内管停留在所述第一外管或第二外管内，并分别定义为“0”或“1”；所述第一、第三电极或第二、第四电极与读取电路连接，通过检测不同的输出信号测定所述内层碳管所处的不同位置，进而读出数据“0”或“1”。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0
