【摘要】 本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，该半导体层包括至少两个重叠设置的碳纳米管薄膜，每一碳纳米管薄膜包括多个定向排列的碳纳米管，且相邻的两个碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿不同同方向排列。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810067164.0 【申请日】2008-05-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101582447B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101582447B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/786; H01L29/06 【发明人】姜开利; 李群庆; 范守善 【主权项内容】一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，该半导体层包括至少两个重叠交叉设置的碳纳米管薄膜，每一碳纳米管薄膜包括多个定向排列的碳纳米管，且相邻的两个碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿不同方向排列。 【当前权利人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室; 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】12100000400000624D; 914403007084307436 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】52.0 【家族被引证次数】13
