【摘要】 本发明提供一种用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法，其特征在 于，包括如下步骤：步骤1：在一太阳电池芯片的底部固接一软键合材料 层，该软键合材料层为低熔点金属，该低熔点金属在电池的工作温度区域 内为液态，低于电池的工作温度时为固态；步骤2：将软键合材料层的另 一面固接在管壳的上面；步骤3：将管壳的另一面绝缘固定在一散热器上， 完成软键合工艺。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116739.3 【申请日】2008-07-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630700A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【发明人】崔敏; 陈诺夫; 王彦硕; 白一鸣 【主权项内容】1、一种用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法，其特征在于，包 括如下步骤： 步骤1：在一太阳电池芯片的底部固接一软键合材料层，该软键合材 料层为低熔点金属，该低熔点金属在电池的工作温度区域内为液态，低于 电池的工作温度时为固态； 步骤2：将软键合材料层的另一面固接在管壳的上面； 步骤3：将管壳的另一面绝缘固定在一散热器上，完成软键合工艺。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】1 【家族被引证次数】1
