【摘要】 本发明公开了一种采用纳米光镊技术将ZnO纳米线定位到场效应管衬底的方法，该方法包括：在衬底上涂一层光刻胶，用源漏阳版光刻显影，形成按一定规律排列的源漏PAD；将ZnO纳米线超声降解于异丙醇溶液中，采用纳米光镊技术微操作ZnO纳米线，移动ZnO纳米线的位置，将ZnO纳米线作为场效应管的沟道与该源漏PAD的两端形成欧姆接触；再蒸发Ti/Au金属形成源漏金属PAD，实现将ZnO纳米线定位到场效应管的衬底。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，易于在半导体器件制作中采用和推广。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810238871.1 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752249A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/335; H01L21/336 【发明人】黎明 【主权项内容】一种采用纳米光镊技术将ZnO纳米线定位到场效应管衬底的方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上涂一层光刻胶，用源漏阳版光刻显影，形成按一定规律排列的源漏PAD；将ZnO纳米线超声降解于异丙醇溶液中，采用纳米光镊技术微操作ZnO纳米线，移动ZnO纳米线的位置，将ZnO纳米线作为场效应管的沟道与该源漏PAD的两端形成欧姆接触；再蒸发Ti/Au金属形成源漏金属PAD，实现将ZnO纳米线定位到场效应管的衬底。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
