【摘要】 本发明涉及一种用于半导体制造工艺中的边缘环机构，包括固定晶片的静电卡盘，静电卡盘的下方设有下电极基座，在所述静电卡盘的周围设置有边缘环，所述边缘环与所述静电卡盘之间设有间隙，在所述下电极基座上开有气体通道，并且在所述边缘环上设有连通所述间隙和所述气体通道的气体流通通道。本发明可以有效地改善晶圆(晶片)背底的颗粒污染问题；并且，可以有效控制工艺进行过程中边缘环的温度；另外，本发明加工简单，方便进行安装和维护。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103065.3 【申请日】2008-03-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552182B 【公开公告日】2010-11-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552182B 【授权公告日】2010-11-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/3065; H01L21/683; H01J37/32; H05H1/00; H05H1/46; C23F4/00 【发明人】徐亚伟 【主权项内容】一种用于半导体制造工艺中的边缘环机构，包括固定晶片(1)的静电卡盘(41)，静电卡盘(41)的下方设有下电极基座(42)，在所述静电卡盘(4)的周围设置有边缘环(2)，其特征在于：所述边缘环(2)与所述静电卡盘(41)之间设有间隙(24)，在所述下电极基座(42)上开有气体通道(21)，并且在所述边缘环(2)上设有连通所述间隙(24)和所述气体通道(21)的气体流通通道。。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【引证次数】10.0 【被引证次数】3 【他引次数】10.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】30
