【摘要】 本发明涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2；在P+-Si衬底的背面形成背栅电极；在P+-Si衬底的正面形成定位标记；在P+-Si衬底的正面完成氧化锌纳米线的转移和淀积；在P+-Si衬底的正面完成纳米线的定位；在P+-Si衬底的正面制作源漏电极；退火处理。本发明提供的增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管制备方法，实现了阈值电压大于零伏的增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227461.7 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101431028B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101431028B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L29/78; H01L23/544 【发明人】徐静波; 张海英; 黎明; 付晓君 【主权项内容】一种增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下顺序的步骤：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2；在P+-Si衬底的背面形成背栅电极；在P+-Si衬底的正面形成定位标记；在P+-Si衬底的正面完成氧化锌纳米线的转移和淀积；在P+-Si衬底的正面完成纳米线的定位；在P+-Si衬底的正面制作源漏电极；在600℃下，进行2分钟的退火处理。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族被引证次数】3
