【摘要】 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和阴版光刻，显影形成按照一定规律排列的光刻胶凹槽；采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将ZnO纳米线滴到所述布满光刻胶凹槽的场效应管衬底上，实现将ZnO纳米线沉积在该场效应管衬底上；蒸发掉乙醇，使ZnO纳米线掉入光刻胶凹槽中，在衬底上形成按一定方向和固定位置的ZnO纳米线。利用本发明，实现了ZnO纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底的沉积和定位的方法，解决了ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的问题，实现了纳米线的精确定位。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103254.0 【申请日】2008-04-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552204B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552204B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/335; H01L21/368 【发明人】黎明; 张海英; 付晓君; 徐静波 【主权项内容】一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法，其特征在于，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和阴版光刻，显影形成按照一定规律排列的光刻胶凹槽；采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将ZnO纳米线滴到所述布满光刻胶凹槽的场效应管衬底上，实现将ZnO纳米线沉积在该场效应管衬底上；蒸发掉乙醇，使ZnO纳米线掉入光刻胶凹槽中，在衬底上形成按一定方向和固定位置的ZnO纳米线。。该数据由<>整理 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】4
