【摘要】 本发明公开了一种制作微透镜阵列的方法，该方法包括：在透明衬底 上匀一层光刻胶；对该光刻胶层进行曝光显影，形成方形的光刻胶块； 熔融该方形光刻胶块并迅速冷却至室温，形成具有微透镜形状的光刻胶掩 膜；从透明衬底具有微透镜形状光刻胶掩膜的一面进行离子注入，在透明 衬底中形成具有不同折射率的两层材料，其中一层材料具有微透镜形状； 去除透明衬底上的光刻胶掩膜，形成具有不同折射率两种材料并且具有微 透镜的阵列结构。利用本发明，可以制作多层透镜阵列，并能够与传统的 集成电路离子注入光刻工艺相集成，适合大规模生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810222332.9 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101676798A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101676798B 【授权公告日】2011-10-12 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F7/00; G03F7/16; G03F7/20; G03F7/26; G03F7/42; G02B3/00 【发明人】董立军 【主权项内容】1、一种制作微透镜阵列的方法，其特征在于，该方法包括： 在透明衬底上匀一层光刻胶； 对该该光刻胶层进行曝光显影，形成方形的光刻胶块； 熔融该方形光刻胶块并迅速冷却至室温，形成具有微透镜形状的光刻 胶掩膜； 从透明衬底具有微透镜形状光刻胶掩膜的一面进行离子注入，在透明 衬底中形成具有不同折射率的两层材料，其中一层材料具有微透镜形状； 去除透明衬底上的光刻胶掩膜，形成具有不同折射率两种材料并且具 有微透镜的阵列结构。 【当前权利人】北京中科微投资管理有限责任公司 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】19 【被自引次数】2.0 【被他引次数】17.0 【家族被引证次数】19
