【摘要】 本发明属于有机电子技术领域，特别涉及一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法。为了克服现有技术中成本高的缺陷，本发明提供一种纳米级沟道有机场效应晶体管，包括绝缘衬底上的源电极、绝缘层、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极，所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上；所述源电极上方从下到上依次设有绝缘层和漏电极，分别与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。本发明通过控制绝缘层的厚度来控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，大幅度地降低制备纳米级沟道有机晶体管的难度，从而减少了制备的成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227456.6 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101425562B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101425562B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/05; H01L51/40 【发明人】商立伟; 刘明; 涂德钰; 刘舸; 刘兴华 【主权项内容】一种纳米级沟道有机场效应晶体管，包括：绝缘衬底、源电极、绝缘层、漏电极、栅电极、栅介质层和有机半导体层，其特征在于：所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上，且相互接触，其中有机半导体层处于中心位置；所述源电极上方从下到上依次设有绝缘层和漏电极，且相互接触，并与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族被引证次数】7
