【摘要】 本发明公开了一种埋栅太阳能电池的制造方法，采用化学腐蚀的方法形成沉积埋栅电极所需要的沟槽；通过在沟槽内填充包括Ag、掺杂源和玻璃料的自掺杂浆料，并加热到845℃以上，进行烧结，浆料中的玻璃料可以烧透SiN减反射层，使浆料直接与下层Si接触，在界面处Ag使Si溶化为液体，当温度降低时，一方面部分Si溶入Ag中形成Ag-Si接触，降低了接触电阻；另一方面Si重新晶化，使掺杂源扩散进入Si晶格中，形成重掺杂深扩散区，制成埋栅电极，简化了生产工艺，降低了生产成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810225928.4 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740659A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】肖青平 【主权项内容】一种埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：A、在基片正面形成用于制作埋栅电极的沟槽；B、在所述基片正面沉积减反射层；C、在所述沟槽内填充自掺杂浆料，所述自掺杂浆料包括颗粒形态的Ag、液体形态的掺杂源和玻璃料；D、将步骤C之后的基片进行加热烧结，形成所述埋栅电极。 【当前权利人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】20 【被他引次数】20.0 【家族被引证次数】20
