【摘要】 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100124 北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810239394.0 【申请日】2008-12-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101435852B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101435852B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01R31/26; G01M11/02 【发明人】冯士维; 张光沉; 郭春生; 王璐 【主权项内容】一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)测量或获取被测器件的发光效率参数η0，测量被测器件的表观热阻Rth-a(0)；(2)对被测器件加工作电流或老化电流，工作一定时间t1后，测量器件正常工作条件下的表观热阻Rth-a(t1)；(3)再对被测器件施加步骤(2)相同大小的电流，工作一定时间t2后，测量器件正常工作条件下的表观热阻t1+t2时间后的Rth-a(t1+t2)；(4)重复(3)步骤，得到一系列值：t1，t2，...tn，Rth-a(t1)，Rth-a(t1+t2)，...，...Rth-a(t1+t2+...tn)，按照公式得到光效的退化曲线，Rth-a(t)是老化过程中时刻t时的表观热阻，Rth-a(0)是未开始进行老化试验时的表观热阻；(5)光效η退化满足η＝η0exp(-t/τ)，η0是被测器件尚未工作的初始光效，τ是退化的时间常数，按照公式：做直线，该直线的斜率就是1/τ，即是光效退化参数。FSB00000124584800011.tif, FSB00000124584800012.tif 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3
