【摘要】 本发明涉及一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。有源矩阵有机发光二极管像素结构包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、信号线和电源线，所述像素区域内分别形成有作为寻址元件的第一薄膜晶体管、控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极，所述像素区域内还形成有作为第二薄膜晶体管栅电极的第二栅线，所述第二栅线与所述第一栅线同层设置且与所述第一像素电极连接。本发明通过在基板上设置第二栅线，且第二栅线与第一栅线在同一次构图工艺中完成，因此与现有技术九次构图工艺和顺序结构形式相比，使本发明不仅减少了工艺步骤，而且减少了像素结构的厚度。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226096.8 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740605A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740605B 【授权公告日】2014-05-14 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L27/32; H01L23/522; H01L21/84; H01L21/768; H01L27/28; H01L21/70; H01L23/52 【发明人】张弥 【主权项内容】一种有源矩阵有机发光二极管像素结构，包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、信号线和电源线，所述像素区域内分别形成有作为寻址元件的第一薄膜晶体管、控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极，其特征在于，所述像素区域内还形成有作为第二薄膜晶体管栅电极的第二栅线，所述第二栅线与所述第一栅线同层设置且与所述第一像素电极连接。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【家族引证次数】2.0
