【摘要】 本发明公开了一种CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法，包括：从晶圆厂商提供的PDK文档或模型文件中，找出VTN、KTN、VTP、αμp和KTP参数的数值；使用HSPICE(或其它EDA工具，如：Cadence、ADS)通过直流仿真得到Vgs；利用Vgs、VTN、KTN、VTP、αμp和KTP参数求出所需偏置电流的温度系数和所需偏置电压的温度系数；根据求出的所需偏置电流的温度系数和所需偏置电压的温度系数设计出CMOS源极耦合高速分频器的偏置电路。利用本发明，源极耦合高速分频器消耗的功耗与绝对温度成一定比例关系，源极耦合高速分频器的最高工作频率和输出振幅基本保持不变，降低了源极耦合高速分频器的功耗，提高了源极耦合高速分频器的工作速度。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227487.1 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101741540A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101741540B 【授权公告日】2013-03-27 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H04L7/033; H04L7/00 【发明人】阎跃鹏; 曾隆月; 陈家国 【主权项内容】一种CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法，其特征在于，该方法包括：从晶圆厂商提供的PDK文档或模型文件中，找出VTN、KTN、VTP、αμp和KTP参数的数值；使用EDA工具通过直流仿真得到Vgs；利用Vgs、VTN、KTN、VTP、αμp和KTP参数求出所需偏置电流的温度系数和所需偏置电压的温度系数；根据求出的所需偏置电流的温度系数和所需偏置电压的温度系数设计出CMOS源极耦合高速分频器的偏置电路。 【当前权利人】锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 【当前专利权人地址】广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族引证次数】5.0
