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一种SrZrO3掺杂的YBCO薄膜及其制备方法专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 一种SrZrO3掺杂的YBCO薄膜及其制备方法属于高温涂层超导材料制备技术领域。现有PLD方法设备复杂,成本高且不易控制掺杂物配比。本发明所提供的薄膜由摩尔百分比为1-15%的SrZrO3和85-99%的YBCO组成。本发明通过三氟乙酸-金属有机盐沉积法配制YBCO前驱溶液;将其与醋酸锶和乙酰丙酮锆的丙酸溶液混合得到SrZrO3掺杂的YBCO前驱溶液;再将其旋涂或浸涂到基底上,并于湿氧气氛,低于400℃下烧结;最后于湿Ar/O2混合气氛中750-850℃高温烧结得到SrZrO3掺杂的YBCO薄膜。本发明薄膜在磁场下有较高的临界电流密度,高的临界转变温度和双轴织构,且设备简单、成本低。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100124 北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810116140.X 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101320604B 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101320604B 【授权公告日】2010-06-30 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01B12/00; H01B13/00; C04B35/01 【发明人】刘敏; 索红莉; 叶帅; 汤潇; 吴紫平; 周美玲 【主权项内容】一种SrZrO3掺杂的YBCO薄膜,其特征在于,所述的薄膜由SrZrO3和YBCO组成,其中,SrZrO3的摩尔百分比为1-15%,YBCO的摩尔百分比为85-99%。。-官网 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】18

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