【摘要】 本发明公开了一种半导体基片加工方法，在刻蚀工艺前，当基片经过传输路径被放入工艺腔室后，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于在传输过程中掉落在基片表面的颗粒；并当刻蚀工艺完成后，基片传出工艺腔室之前，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于刻蚀过程中副产物在基片表面的附着物，可以有效的降低由于基片在传输过程中或刻蚀副产物掉落在基片表面的颗粒对基片加工良率的影响。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810224342.6 【申请日】2008-10-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728230A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/30; H01L21/306; H01L21/02 【发明人】周洋 【主权项内容】一种半导体基片加工方法，包括刻蚀基片步骤，其特征在于，所述刻蚀基片步骤之前和之后分别或单独设有吹扫基片步骤。 【当前权利人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】13 【被自引次数】3.0 【被他引次数】10.0 【家族被引证次数】13
