【摘要】 本发明公开了一种薄膜去除方法，包括步骤：提供表面具有薄膜的衬底；将所述衬底传送至处理室内；利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体激活；将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜，利用退火处理去除所述刻蚀处理过程中的生成物。本发明还相应地公开了利用该方法形成局域金属硅化物，及利用该方法形成接触孔开口的具体实施步骤。采用本发明的薄膜去除方法，既可以避免传统干法刻蚀方法对下层结构的损伤，又可以避免各向同性的湿法腐蚀方法对侧壁结构的损伤。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227171.2 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740338A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740338B 【授权公告日】2012-07-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/311; H01L21/768; H01L21/70 【发明人】何伟业; 苏娜; 杨瑞鹏 【主权项内容】一种薄膜去除方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有薄膜的衬底；将所述衬底传送至处理室内；利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体激活；将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜，利用退火处理去除所述刻蚀处理过程中的生成物。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】2.0 【被引证次数】17 【他引次数】2.0 【被自引次数】7.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】17
