【摘要】 本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域，公开一种采用GaAs增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺，制备出性能良好的DC～10GHz SPDT MMIC，将全耗尽型微波开关与反相器逻辑电路集成于同一芯片内，基本实现逻辑电路与开关电路的集成，整个电路只需要1位控制信号，有效的减少了开关电路的控制端口数目，节省了芯片面积。为将来采用E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成奠定了良好基础。发明具有成效明显，工艺设计简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体电路制作中采用和推广。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810102206.X 【申请日】2008-03-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101540296B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101540296B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/822 【发明人】黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君 【主权项内容】一种实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，其特征在于，该方法包括：对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行预处理；对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；腐蚀InGaAs帽层，形成增强型栅极，实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，采用PECVD生长一层SiN介质，然后在SF6气体氛围下进行等离子光刻进行二次刻孔，并光刻布线，蒸发第二次布线金属Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。 【当前权利人】天津中科海高微波技术有限公司 【当前专利权人地址】天津市滨海高新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园22-A号厂房四层B角-3 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
