【摘要】 本发明公开了一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法，包括：准备高掺杂的P++衬底；在高掺杂的P++衬底的正面蒸发一层SiO2形成栅氧；采用HF湿法腐蚀去掉高掺杂P++衬底背面的氧化层，背金形成栅极；在栅氧上光刻蒸发源漏金属电极；采用乙醇水解超声的方法使ZnO纳米线从本征玻璃衬底上面剥离下来；将剥离下来的多条ZnO纳米线随机滴入P型Si衬底的源漏金属电极上进行定位，使ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道将源漏电极搭接起来，形成ZnO多沟道纳米线场效应晶体管。本发明突破了单根纳米线场效应晶体管器件电流限制，获得相对大的开态电流和提高不同器件的驱动电流能力，为进一步传感器的制作打下坚实的基础。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240074.7 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752256A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】黎明; 徐静波; 付晓君 【主权项内容】一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：准备高掺杂的P++衬底；在高掺杂的P++衬底的正面蒸发一层SiO2形成栅氧；采用HF湿法腐蚀去掉高掺杂P++衬底背面的氧化层，背金形成栅极；在栅氧上光刻蒸发源漏金属电极；采用乙醇水解超声的方法使ZnO纳米线从本征玻璃衬底上面剥离下来；将剥离下来的多条ZnO纳米线随机滴入P型Si衬底的源漏金属电极上进行定位，使ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道将源漏电极搭接起来，形成ZnO多沟道纳米线场效应晶体管。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U
