【摘要】 本发明公开了一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层5214原胶，采用阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层5214原胶，再曝光，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏pad金属将ZnO纳米线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。由于本发明采用了双层胶光刻技术，所以解决了ZnO纳米线场效应晶体管制备过程中纳米线从衬底脱落的问题，避免器件失效。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103256.X 【申请日】2008-04-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552206B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552206B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/335; H01L21/368 【发明人】黎明; 张海英; 付晓君; 徐静波 【主权项内容】一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法，其特征在于，该方法包括：在场效应管衬底上面先生长一层SiO2介质，在其上涂正性光刻胶5214，前烘后RIE打底胶；对已经涂好正性光刻胶的片子用阴版进行光刻，显影形成一定规律的光刻胶凹槽；通过乙醇超声波降解法将ZnO纳米线降解，采用滴管将ZnO纳米线滴到所述布满光刻胶凹槽的场效应管衬底上，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层5214原胶；再采用阴版进行光刻，曝光显影后证明两层胶已经显透，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏焊接点金属将ZnO纳米线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0
