【摘要】 本实用新型为一种阵列基复合电极,该电极由导电材料基体、定向排列的一维纳米 炭材料阵列和金属氧化物活性材料组成。一维纳米炭材料是单壁碳纳米管或多壁碳纳米 管;定向排列的一维纳米炭材料阵列直接粘贴到导电材料基体的一面或两面上;金属氧 化物附着在一维纳米炭材料阵列之上。该阵列基金属氧化物复合电极具有优良的频率响 应性能,功率密度大,能量密度高,循环使用寿命长,可以广泛应用于电池、超级电容 器、燃料电池以及催化工业等领域。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国人民解放军63971部队 【申请人类型】机关团体 【申请人地址】100191北京925信箱西楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】昌平区 【申请号】CN200820136765.8 【申请日】2008-09-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201383439Y 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN201383439Y 【授权公告日】2010-01-13 【授权公告年份】2010.0 【发明人】张浩; 曹高萍; 程杰; 徐斌; 张文峰; 杨裕生 【主权项内容】1.一种阵列基复合电极,其特征在于:该电极由导电材料基体(1)、定向排列的一维纳米 炭材料阵列(2)和金属氧化物(3)组成;一维纳米炭材料是直径2~10nm的单壁碳纳米管或直径 50~200nm的多壁碳纳米管;定向排列的一维纳米炭材料阵列(2)直接粘贴到导电材料基体(1) 的一面或两面上;金属氧化物(3)附着在一维纳米炭材料阵列(2)之上。 【当前权利人】中国人民解放军63971部队 【当前专利权人地址】北京925信箱西楼 【被引证次数】4 【家族被引证次数】4