【摘要】 本发明提供了一种继电器预置电压式高压变频器功率单元旁路电路，包括并联在H逆变桥旁的二极管整流桥和可控硅，其特征在于：还设置有预置电压电路；所述预置电压电路包括至少一个继电器、至少一个限流电阻、充电电阻和充电电容；所述继电器和限流电阻串联于所述功率单元的直流正母线或负母线与可控硅之间；所述充电电阻和充电电容串联后并联在可控硅旁。这样结构的旁路电路，在功率单元不旁路情况下，可控硅两端的电压被预置到十分接近于母线电压值，在功率单元动作的过程中，旁路电路中的二极管整流桥和可控硅将不再承受超过其耐受能力的dv/dt，从而保证了变频器的安全可靠性，且功率单元故障时可以被有效的旁路。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京利德华福电气技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】102200 北京市昌平区昌平科技园白浮泉路10号北控大厦10层1003B 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】昌平区 【申请号】CN200810113843.7 【申请日】2008-05-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101478227B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101478227B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H02M1/32 【发明人】朱燕华; 马永健 【主权项内容】一种继电器预置电压式高压变频器功率单元旁路电路，包括并联在H逆变桥旁的二极管整流桥和可控硅，其特征在于：还设置有预置电压电路；所述预置电压电路包括至少一个继电器、至少一个限流电阻、充电电阻和充电电容；所述继电器和限流电阻串联于所述功率单元的直流正母线或负母线与可控硅之间；所述充电电阻和充电电容串联后并联在可控硅旁。 【当前权利人】北京利德华福电气技术有限公司 【当前专利权人地址】北京市昌平区昌平科技园白浮泉路10号北控大厦10层1003B 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911100007552533134 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1
