【摘要】 本发明提供一种在氮化硅沉积工艺中去除氯化铵结晶的方法，从装载区 将晶圆装片送入高温炉管进行氮化硅沉积；在结束氮化硅沉积从高温炉管取 片后，利用通入装载区的空气对晶圆进行降温处理；在降温处理过程中，通 入装载区的空气对氮化硅沉积中所产生的氯化铵结晶进行风化，直到将晶圆 降至预先设置的温度且风化完所有的氯化铵结晶为止。应用本发明方案，由 于在晶圆降温的过程中就可以利用低成本的空气有效地去除氯化铵结晶，无 需利用水和其它化学品溶液对晶圆进行清洗，不但可以节约工艺时间，还可 以节约工艺成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222175.1 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673680A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673680B 【授权公告日】2012-04-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/3105; H01L21/02 【发明人】高剑鸣; 赵星 【主权项内容】1、一种在氮化硅沉积工艺中去除氯化铵结晶的方法，其特征在于，该方法 包括： 从装载区将晶圆装片送入高温炉管进行氮化硅沉积；在结束氮化硅沉积从 高温炉管取片后，利用通入装载区的空气对晶圆进行降温处理；在降温处理过 程中，通入装载区的空气对氮化硅沉积中所产生的氯化铵结晶进行风化，直到 将晶圆降至预先设置的温度以下且风化完所有的氯化铵结晶为止。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
