【摘要】 本发明公开了一种在晶圆上制造栅极的方法，在晶圆的栅氧化层上沉积作为栅极的多晶硅层之前，沉积掺杂的多晶硅层，该方法还包括：图案化多晶硅层后，采用终点检测方法主刻蚀多晶硅层，去除没有被图案覆盖的多晶硅层；对掺杂的多晶硅层进行过刻蚀，去除没有被图案覆盖的掺杂多晶硅层，得到栅极。本发明提供的方法保证了在制造栅极过程中，避免对晶圆的栅氧化层的损伤。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224595.3 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728254A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/02 【发明人】张海洋; 陈海华; 黄怡; 何其旸 【主权项内容】一种在晶圆上制造栅极的方法，其特征在于，在晶圆的栅氧化层上沉积作为栅极的多晶硅层之前，沉积掺杂的多晶硅层，该方法还包括：图案化多晶硅层后，采用终点检测方法主刻蚀多晶硅层，去除没有被图案覆盖的多晶硅层；对掺杂的多晶硅层进行过刻蚀，去除没有被图案覆盖的掺杂多晶硅层，得到栅极。。微信 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】4 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】4
