【摘要】 本发明涉及的是一种材料技术领域的Mg2Si-Cu合金及其制备方法。所述合 金中，Cu占合金总重量的百分比为1％-20％，余量为Mg2Si。制备方法为：将Mg2Si 和铜粉混合，球磨得到纳米级粉体，或先球磨得到纳米级Mg2Si再和纳米铜粉混 合，再将上述混合粉体通过快速烧结方法制备成块体材料，在此过程中Cu溶入 Mg2Si基体中形成固溶体和Cu-Mg-Si三元化合物。本发明的Mg2Si-Cu合金具有 高的强度和韧性。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810034860.1 【申请日】2008-03-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595306C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595306C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C22C29/18; C22C1/05 【发明人】孙锋; 张芳 【主权项内容】1、一种Mg2Si-Cu合金，其特征在于：Cu占合金总重量的百分比为1％-20％， 余量为Mg2Si，其中的Cu以固溶形式或者固溶形式和Cu-Mg-Si三元相的形式存 在于Mg2Si基体中。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【自引次数】2.0 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
