【摘要】 一种电镀方法，包括：确定电镀层厚度并提供基底，所述基底表面形成有晶种层；在所述晶种层上顺序执行形成至少两层电镀分层的操作及置于各形成所述电镀分层的操作之后的退火操作，各所述电镀分层的厚度和等于所述电镀层厚度。可在形成的电镀层中具有较少的孔洞。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227176.5 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736375A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736375B 【授权公告日】2012-05-23 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C25D7/12; H01L21/445; H01L21/02 【发明人】聂佳相; 康芸; 杨瑞鹏 【主权项内容】一种电镀方法，其特征在于，包括：确定电镀层厚度并提供基底，所述基底表面形成有晶种层；在所述晶种层上顺序执行形成至少两层电镀分层的操作及置于各形成所述电镀分层的操作之后的退火操作，各所述电镀分层的厚度和等于所述电镀层厚度。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】7.0
