【摘要】 一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底中具有沟槽，在所述沟槽中填充有绝缘介质，在所述衬底的沟槽以外的区域上具有垫氧化硅层；执行氧化工艺，以氧化所述垫氧化硅层下面的衬底，在所述垫氧化硅层下形成牺牲氧化硅层；去除所述垫氧化硅层和牺牲氧化硅层。可改善和消除在浅沟槽隔离制造工艺中引起衬底的有源区中的缺陷或损伤。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227179.9 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740461A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740461B 【授权公告日】2012-01-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/762; H01L21/70 【发明人】何学缅; 王丹; 何永根 【主权项内容】一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底中具有沟槽，在所述沟槽中填充有绝缘介质，在所述衬底的沟槽以外的区域上具有垫氧化硅层；执行氧化工艺，以氧化所述垫氧化硅层下面的衬底，在所述垫氧化硅层下形成牺牲氧化硅层；去除所述垫氧化硅层和牺牲氧化硅层。 ： 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】5 【他引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
