【摘要】 本发明涉及一种高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置。本装置置于真空镀膜室侧部，除靶位外均设置于真空镀膜室外部，靶位与由步进电机驱动的双向转动组件连接，实现靶位的精确双向转动；该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的轴向往复摆动组件连接，实现靶位的精确轴向往复移动，两组步进电机与PLC可编程控制器的电脉冲信号输出端电控连接。本装置可提高靶材利用率60％～100％，通过镶嵌型平面靶获得多组分质量优异的包覆型复合膜和合成膜产品，大幅度降低产品加工和设备维护成本，可提高真空室容积利用率，并节省能源。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆明理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】五华区 【申请号】CN200810058402.1 【申请日】2008-05-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101285169B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101285169B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/34 【发明人】杨滨 【主权项内容】一种高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置，其特征是：靶位与由步进电机驱动的双向转动组件连接，该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的轴向往复摆动组件连接，两组步进电机与PLC可编程控制器的电脉冲信号输出端电控连接；靶位的双向转动组件和轴向往复摆动组件设置在真空镀膜室外；轴向往复摆动组件通过连接支撑装置装于真空镀膜室外壁，其步进电机的传动减速装置连接丝杆；双向转动组件装在靶位轴向往复摆动组件上，且靶位轴向往复摆动组件带有与丝杆啮合的螺母并同时装于与丝杆轴向平行的导轨上。。 【当前权利人】昆明理工大学 【当前专利权人地址】云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) 【统一社会信用代码】125300004312044864 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】11
