【摘要】 本发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的片上离子射流装置， 包括单级加速电极，所述加速电极由镂空电极、极化电极阵列、流道侧壁、极化 电极阵列连线、镂空电极连线五个部分组成，五个部分全部设置于基片表面之上， 该结构由片上大长径比电极阵列作为气体分子电离装置，由片上薄壁结构作为流 压控制装置并构建流道，由镂空电极作为离子射流方向和加速幅度的控制装置并 可组成多级累积加速的连续式多级镂空电极。整个结构可完全由微电子加工技术 所具有的片上化制造技术加工实现，因此非常利于阵列化、集成化、微型化，可 大幅度提高电离效率、稳定性、工作寿命等核心性能指标，并非常适用于在微型 飞行器、芯片冷却装置中使用。。-官网 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810201600.9 【申请日】2008-10-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100593848C 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100593848C 【授权公告日】2010-03-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/34; H05K7/20; B64G1/40 【发明人】侯中宇; 蔡炳初 【主权项内容】1.一种片上离子射流装置，其特征在于，包括单级加速电极，所述加速电 极由镂空电极、极化电极阵列、流道侧壁、极化电极阵列连线、镂空电极连线五 个部分组成，五个部分全部设置于基片表面之上，其中： 极化电极阵列包括数量大于二的多个分立的平面极化电极组成，每两个平面 极化电极之间，存在气体间隙使其相互隔离，其中每一个分立的平面极化电极的 电极材料，是导体性或者半导体性的、长径比大于10的大长径比电极材料，电 极材料具有带状、针状、管状或者条状的形状特征，其长度方向平行于基片； 流道侧壁位于极化电极阵列的两侧，设置于基片之上，流道侧壁必须与极化 电极阵列和镂空电极相互绝缘； 极化电极阵列连线与极化电极阵列中每个平面极化电极的一端相连，使得每 个平面极化电极的电极材料可以通过极化电极阵列连线与外部电路实现电连接， 极化电极阵列连线与镂空电极和流道侧壁不接触； 镂空电极设置于极化电极阵列的一端，这一端没有与极化电极阵列连线相互 连接，且镂空电极与极化电极阵列的末端之间存在气体间隙；镂空电极具有薄壁 特征，镂空电极垂直于基片表面的薄壁平面与极化电极阵列中平面极化电极的长 度方向相互垂直，当极化电极阵列末端邻近的气体间隙中发生气体电离，荷电的 气流能够部分地通过镂空电极的镂空部分，镂空电极与流道侧壁相互绝缘； 镂空电极连线使得镂空电极与外电路实现电连接。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
