【摘要】 高温蒸汽除硼制备太阳能级硅阐述了除硼的原理。根据反应原理设计出具体的反应方案和设备，以及 对不同硼含量的硅的处理要求。新的反应原理使对反应设备的要求明显降低，操作简单，使低本的物理提 纯法制备太阳能级多晶硅成为可能。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑金标; 何念银 【申请人类型】个人 【申请人地址】201102上海市闵行区虹幸路1518弄28支弄501室 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810041221.8 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101638231A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】郑金标; 何念银 【主权项内容】1.一种硅提纯方法，酸处理后的硅粉在无氧条件下，加热到500℃～1000℃高温，并缓慢通入经过加热到 相同温度的水蒸汽，使硅里的硼与水反应，反应方程式：2B+6H2O(g)→2B(OH)3+3H2(g)，生成 物进一步与水反应生成挥发性物质，使含量减少，反应方程式：B2O3+H2O(g)→2HBO2(g)。 【当前权利人】郑金标; 何念银 【当前专利权人地址】上海市闵行区虹幸路1518弄28支弄501室; 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
