【摘要】 一种硅基介质阻挡型一维纳米电极结构，属于微型电子器件领域。本发明由上部和下部两个硅基片键合而成，下部硅基片局部有凹坑结构，凹坑中布置有图形化的一维纳米材料膜，一维纳米材料膜的下部布置有图形化的金属导电层。本发明应用于基于气体放电的电子器件，有利于器件的微型化，有利于器件的集成化、批量制造。由于可以避免热平衡等离子体对电极的热损伤，有利于器件稳定性和寿命的提高。由于介质阻挡层可以大大降低局部发生短路的几率，因此利于电极间隙的减小，使器件可以在更低的操作电压下工作。。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810033994.1 【申请日】2008-02-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101236871B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101236871B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01J9/02; H01J29/02; H01L21/00; B82B1/00 【发明人】侯中宇; 蔡炳初; 张亚非; 徐东 【主权项内容】一种硅基介质阻挡型一维纳米电极结构，其特征在于，由上部和下部两个硅基片键合而成，下部硅基片面向上部硅基片一侧的表面有绝缘层覆盖，下部硅基片局部有凹坑结构，凹坑中布置有图形化的一维纳米材料膜，一维纳米材料膜的下部布置有图形化的金属导电层，两个硅基片键合的部分为下部硅基片凹坑结构周围的区域，上部硅基片面向下部硅基片一侧的表面有绝缘层覆盖，在一维纳米材料膜与上部硅基片之间存在有电极间隙。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0
