【摘要】 本发明公开了一种用于厚膜光刻胶的清洗剂。该清洗剂包含二甲基亚 砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。本发明的光刻 胶清洗剂可以在较大的温度范围内(45～90℃)使用，用于除去半导体制造 工艺中金属、金属合金或电介质等基材上的厚膜光刻胶(光阻)，特 别是适合用于除去厚度在100μm以上的高交联度的负性光刻胶。同时，该 光刻胶清洗剂对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有极弱的腐蚀 性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有 良好的应用前景。。-官网 【专利类型】发明申请 【申请人】安集微电子(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810200574.8 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685274A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685274B 【授权公告日】2012-08-22 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G03F7/42 【发明人】史永涛; 彭洪修; 曹惠英 【主权项内容】 。1、一种用于厚膜光刻胶的清洗剂，包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺， 芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。 【当前权利人】安集微电子(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 【专利权人类型】有限责任公司(外商投资企业法人独资) 【统一社会信用代码】91310000766495270K 【引证次数】5.0 【被引证次数】6 【他引次数】5.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】15.0 【家族被引证次数】6
