【摘要】 一种浅沟槽形成方法，包括：在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，采用第一刻蚀气体去除部分厚度的所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用异于所述第一刻蚀气体的第二刻蚀气体去除剩余的所述钝化层并刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽。可减小甚至消除所述浅沟槽的侧壁顶端存在的尖角缺陷，继而，减小甚至消除浅沟槽隔离区顶角缺失。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810204557.1 【申请日】2008-12-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752286A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752286B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/76; H01L21/308; H01L21/311; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】赵林林 【主权项内容】一种浅沟槽形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，采用第一刻蚀气体去除部分厚度的所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用异于所述第一刻蚀气体的第二刻蚀气体去除剩余的所述钝化层并刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】2.0 【被引证次数】3 【他引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3
