【摘要】 一种用蒸发沉积制备铂纳米多孔电极的方法，铂纳米多孔电极可 用于燃料电池和无酶检测葡萄糖，属材料制备和电化学电池和电化学 分析的技术领域。用电子束蒸发沉积方法在衬底上沉积一层铂合金， 然后用电化学刻蚀方法去合金化，制得铂纳米多孔电极。有以下优点： 电子束蒸发沉积确保铂硅合金膜的组分和厚度具有优异的重复性，继 而确保铂纳米多孔膜具有优异的重复性；和适合大批量生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】华东师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200041上海市东川路500号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810039485.X 【申请日】2008-06-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595578C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595578C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01N27/327; C25B11/03; C25B11/08 【发明人】王依婷; 朱自强; 张健; 朱建中 【主权项内容】1、一种用蒸发沉积制备铂纳米多孔电极的方法，需在电弧炉、 电子束蒸发沉积装置、电解池的设备中和在电化学工作站供电下施 行，电解池内安装有工作电极、对电极、参比电极，其特征在于，工 作电极为硅衬底，具体操作步骤： 第一步表面处理硅衬底的表面 用标准微电子平面工艺中的清洗方法将硅衬底的表面清洗干净， 待用； 第二步制备PtSi合金 分别称取纯度为99.999％的铂和硅1.56g和0.0562g，在电弧炉 中熔炼成PtSi合金，熔炼三次，制得PtSi合金，化学分析表明，铂 与硅的原子比为8∶2； 第三步在硅衬底上蒸发沉积PtSi合金膜 将钛、铂、第二步制得的PtSi合金分别置于电子束蒸发沉积装置 中的三个坩埚内，将硅衬底置于沉积台上，将钛、铂、和PtSi合金 依次蒸发沉积在硅衬底上，三种薄膜的平均厚度分别为1nm，30nm 和150nm，Ti膜可增强硅衬底与铂膜之间的黏附，铂膜作为阻挡层， 阻挡后续步骤中的电刻蚀溶液对硅衬底的腐蚀； 第四步制备Si电刻蚀溶液 吸取3.0ml氢氟酸于100ml容量瓶中，用水稀释至刻度，制得Si 电刻蚀溶液待用； 第五步电刻蚀蚀去PtSi合金膜中的Si 将表面上沉积有PtSi合金膜的硅衬底划片后安装成工作电极，与 参比电极和对电极一起插入Si电刻蚀溶液，电化学工作站为工作电 极和对电极提供恒定电压，恒定电压介于200-500毫伏之间，参比电 极提供基准电位，至刻蚀电流降至零，制得铂纳米多孔电极粗品； 第六步制备电极清洗溶液 吸取5.4ml浓硫酸于100ml容量瓶中，用水稀释至刻度，制得 1.0M硫酸溶液，即电极清洗溶液； 第七步去除残留在铂纳米多孔电极粗品表面的杂质 将工作电极、参比电极、对电极清洗干净后插入电极清洗溶液， 电化学工作站为工作电极和对电极提供+1.0伏至-0.45伏扫描电压， 参比电极提供基准电位，扫描至获得可重复的伏安循环曲线为止，至 此，制得铂纳米多孔电极，铂纳米多孔电极就是表面沉积有铂纳米多 孔膜的硅衬底。 【当前权利人】华东师范大学 【当前专利权人地址】上海市东川路500号 【统一社会信用代码】12100000425006133D 【引证次数】6.0 【被引证次数】3 【他引次数】6.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】21
