【摘要】 本发明是一种LVDT传感器信号的检测方法，其特征在于：对输出信号进行采样的同时，将采用信号与激励信号进行时钟同步，并通过对激励信号相位进行粗调和精调两次调节，最终使得采样信号每周期4次采样精确对准输出信号的0、正峰值、0和负峰值。本发明提供的技术方案无需对输出信号进行整理、滤波等二次处理，可通过对输出信号的直接检测得到传感器的位置信号，有效减小了信号二次处理带来的误差，能提高传感器的反馈位置信号的准确度。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海微电子装备有限公司; 上海微高精密机械工程有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市张江张东路1525号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810201444.6 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101373143B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101373143B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01D5/14; H02P13/00 【发明人】陈锐; 穆洪德 【主权项内容】一种LVDT传感器信号的检测方法，其特征在于：该方法通过调节激励信号相位，并直接采样次级线圈输出信号，实现对LVDT传感器信号的检测，该方法包括以下步骤：A、初始化相位粗调寄存器参数值和相位精调寄存器参数值为零，B、产生频率为N赫兹的正弦波激励信号，输入到LVDT传感器的初级线圈输入端，C、通过模数转换芯片(ADC)的第一采样信号对次级线圈的输出信号进行采样，第一采样信号频率为激励信号频率的4倍，对次级线圈输出信号每个周期采样4次，得到第一信号，D、将采样信号与时钟信号进行同步，得到第二采样信号，E、根据第一信号采样值极性确定激励信号的相位粗调量，并设置粗调寄存器参数值，F、依据粗调寄存器参数值对激励信号进行相位调节，将调节后的激励信号输入到初级线圈输入端，此时次级线圈输出信号与第二采样信号之间的相移在0度至90度之间，G、根据经过粗调后次级线圈输出信号的相位，对激励信号进行精调，设置精调寄存器参数值，再次调整激励信号的相位，H、当激励信号经过相位粗调和精调之后，利用第二采样信号对次级线圈输出信号进行采样，使得4次采样值分别为输出信号的0、正峰值、0、负峰值，I、通过检测次级线圈输出信号的峰峰值得到磁芯移开中心的位移。 【当前权利人】上海微电子装备(集团)股份有限公司; 上海微高精密机械工程有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张东路1525号; 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张东路1525号3幢G104室 【专利权人类型】有限责任公司; 其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91310000736664790J; 913101157505826011 【家族被引证次数】11
