【摘要】 本发明公开了一种在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法，其通过对硅片分区域进行分别光刻，每次光刻后采用不同的离子注入条件进行离子注入来实现。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810044077.3 【申请日】2008-12-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752232A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/266; H01L21/02 【发明人】陈华伦; 罗啸; 熊涛; 陈瑜; 陈雄斌 【主权项内容】一种在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法，其特征在于：对所述硅片分区域进行分别光刻，每次光刻后采用不同的离子注入条件进行离子注入。 【当前权利人】上海华虹NEC电子有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区川桥路1188号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X
