【摘要】 : 本发明公开了一种降低STI工艺中颗粒数的方法,在原有工艺中的浅沟槽内侧生长衬垫氧化硅之后,淀积高密度等离子体化学气相氧化膜之前,增加一硅片背面刻蚀去除氮化硅和氧化硅的步骤。通过上述方法制备的STI隔离结构,能有效减小淀积HDP氧化膜的颗粒数。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043827.5 【申请日】2008-10-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101717924A 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C23C16/513; C23C16/50 【发明人】孙玲玲 【主权项内容】: 一种降低STI工艺中颗粒数的方法,其特征在于:在原有的STI制备工艺中的浅沟槽内侧生长衬垫氧化硅之后,淀积高密度等离子体化学气相氧化膜之前,增加一硅片背面刻蚀去除氮化硅和氧化硅的步骤。 【当前权利人】上海华虹NEC电子有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区川桥路1188号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X