【摘要】 本发明提出一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其包括下列步骤：将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；将晶圆送至第三腔室进行快速倾卸冲洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；将晶圆送至第四腔室进行第三设定时间的干燥处理。本方法能够有效地去除晶圆背面研磨时粘帖在晶圆正面的保护膜留下的胶粘残渣，防止晶圆报废并不会对铝连接区域以及平坦化区域造成影响。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810201822.0 【申请日】2008-10-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728228A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728228B 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/30; H01L21/306; B08B3/00; B08B3/08; B08B3/02; H01L21/02 【发明人】许顺富; 傅俊; 赖海长; 陆志卿 【主权项内容】一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于包括下列步骤：S10：将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；S20：将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；S30：将晶圆送至第三腔室进行快速倾卸冲洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；S40：将晶圆送至第四腔室进行第三设定时间的干燥处理。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】3 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3
