【摘要】 一种发光二极管，包括一基座、装设于基座上的一发光芯片及保护该发 光芯片的一封装单元，该封装单元包括一靠近该发光芯片的第一封装体及位 于第一封装体外围的第二封装体，该第一封装体内嵌设有若干具有第一分布 密度的颗粒，该第二封装体内嵌设有若干具有第二分布密度的颗粒，该第一 分布密度大于第二分布密度。上述发光二极管可产生良好散光效果，出光均 匀度较高。本发明还提供一种上述发光二极管的制造方法。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810068324.3 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621093A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】张家寿 【主权项内容】1.一种发光二极管，包括一基座、装设于基座上的一发光芯片及保护该 发光芯片的一封装单元，其特征在于：该封装单元包括一靠近该发光芯片的 第一封装体及位于第一封装体外围的第二封装体，该第一封装体内嵌设有若 干具有第一分布密度的颗粒，该第二封装体内嵌设有若干具有第二分布密度 的颗粒，该第一分布密度大于第二分布密度。 （，） 【当前权利人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾台北县土城市中山路3之2号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】9144030070842022XG 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】14
