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LTE发射模式7时的CQI修正方法及装置专利

发布时间:2026-07-03

【摘要】 本发明公开了一种LTE发射模式7时的CQI修正方法及装置,所述方法包括:用户设备UE利用第一路公共导频计算接收信号的原信干比SINR,并基于多元天线阵列相较于单天线的SINR提高值对所述原SINR进行修正,并根据修正后的SINR选择信道质量指示CQI的值。采用本发明方法及装置可使修正后的CQI更接近整个天线阵列的CQI,从而使UE的信道质量反馈更加精确。 【专利类型】发明申请 【申请人】中兴通讯股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810184008.2 【申请日】2008-12-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101753190A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101753190B 【授权公告日】2014-02-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H04B7/06; H04B7/08; H04B1/707; H04W28/04 【发明人】姜静 【主权项内容】一种LTE发射模式7时的CQI修正方法,其特征在于,用户设备UE利用第一路公共导频计算接收信号的原信干比SINR,并基于多元天线阵列相较于单天线的SINR提高值对所述原SINR进行修正,并根据修正后的SINR选择信道质量指示CQI的值。 【当前权利人】中兴通讯股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 【专利权人类型】上市股份有限公司 【统一社会信用代码】9144030027939873X7 【被引证次数】8 【被自引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】12

  • 【摘要】本发明公开用于光伏-建筑一体化的透光单晶硅太阳电池的制造方法,包 括将单晶硅棒分段,切割透光孔,腐蚀透光孔壁,扩散制得p-n结,去除晶片 周边和透光孔周围的扩散层,去除磷硅玻璃,制减反射膜,制作电极,成为 具有透光孔的单晶硅太阳能电
  • 【摘要】本发明公开了一种浆染联合机的技术改进方法,特别是一种在牛仔面 料浆染联合机的染缸体(5)上方增加了一个气箱装置形成氮气隔离舱(11)。 气箱装置由气箱箱体(1)、进气阀(2)、气压表(3)、排气阀(4)、连接管(7) 和密封片(8)
  • 【专利类型】外观设计【申请人】江门市新会区天健钢家具制品厂有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】529159 广东省江门市新会区司前镇河村工业区【申请人地区】中国【申请人城市】江门市【申请人区县】新会区【申请号】CN20083021835
  • 【摘要】 。本发明公开一种基站升级方法,将配置数据区分为关键数据和非关键数据,包括:进行配置数据备份后,对基站和网管进行软件版本升级;通过网管在线接入基站,在接入过程中,网管判断配置数据备份的数据版本是否与基站的软件版本兼容,如果是,通知基
  • 【摘要】本发明公开了一种网络地址转换的自动调整应用的系统及方法,所述系统包括:配置模块,根据用户的需求,通过所述配置模块配置至少一个网络地址转换规则,并对所述网络地址转换规则配置应用类型及应用等级范围;网络地址转换模块,用于根据接收到的数据
  • 【摘要】本发明公开一种数字电视节目推广方法,其包括:由数字电视网络的前端服务器将多个节目信息打包编辑为节目包,将节目包插入至节目专用信息中服务描述表的私有描述子并以传输流传送;数字电视机顶盒接收传输流后,解析传输流,从传输流提取节目包,当用