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一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器专利

发布时间:2026-07-01

【摘要】 本发明属于存储技术领域,尤其涉及一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器,其包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。本发明具有存储密度高、稳定性好、结构简单等优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】中山大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510275 广东省广州市新港西路135号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】海珠区 【申请号】CN200810030061.7 【申请日】2008-08-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101339973B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101339973B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; G11C16/02 【发明人】吴曙翔; 李树玮 【主权项内容】一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器,其特征在于包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。 【当前权利人】中山大学 【当前专利权人地址】广东省广州市新港西路135号 【统一社会信用代码】121000004558631445 【家族被引证次数】2

  • 【专利类型】外观设计【申请人】广州市中新塑料有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】511365广东省增城市中新镇中福北路3号【申请人地区】中国【申请人城市】广州市【申请人区县】增城区【申请号】CN200830220443.7【申请日】20
  • 【摘要】本发明提供光纤线阵数码元、器件及其成像方法,其中光纤线阵数码元件包括1个传像光纤元件和1个线阵光电器件,传像光纤元件中的传像光纤按序排列,所述传像光纤元件接收端的端面是平面或曲面,输出端的端面通过透镜或直接与线阵光电器件的光敏面密接
  • 【摘要】本发明公开了一种稻草和或麦草原料的半化学浆制备方法,包括如下步骤:(1)稻草和或麦草原料经化学预浸渍处理或蒸煮后,输送到水力碎浆机进行稀释和分散,加水调节浓度至2.5~4.5%(重量%),并分散成均匀的物料;(2)经稀释和分散后的物
  • 【摘要】本发明涉及诱导核受体TR3表达的强心苷类化合物,具有以下通式:其中:R1为CH3、CHO或CH2OH;R2为H或OH;R3为H或OH;R4为糖类所组成的直链糖链或支链糖链。本发明所述的强心苷类化合物,能够诱导核受体TR3表达,从而可
  • 【摘要】1.右视图与左视图对称,省略右视图;2.省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】广东省外贸开发公司【申请人类型】企业【申请人地址】510620 广东省广州市天河区天河路351号广东省外经贸大厦15-18楼【申请人地区】中国【申请
  • 【专利类型】外观设计【申请人】广州市邮政局【申请人类型】机关团体【申请人地址】510001广东省广州市天河东路155号2楼【申请人地区】中国【申请人城市】广州市【申请人区县】天河区【申请号】CN200830222711.9【申请日】2008