【摘要】 本发明属于存储技术领域,尤其涉及一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器,其包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。本发明具有存储密度高、稳定性好、结构简单等优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】中山大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510275 广东省广州市新港西路135号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】海珠区 【申请号】CN200810030061.7 【申请日】2008-08-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101339973B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101339973B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; G11C16/02 【发明人】吴曙翔; 李树玮 【主权项内容】一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器,其特征在于包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。 【当前权利人】中山大学 【当前专利权人地址】广东省广州市新港西路135号 【统一社会信用代码】121000004558631445 【家族被引证次数】2