【摘要】 本发明公开了一种大功率发光晶体管及其制备方法，第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征层(5)上面覆盖着第三高浓度n型层(4)，第三高浓度n型层(4)上面依次生长着量子阱层(3)和p型层(2)，p型层(2)上设置着漏极(1)，低浓度n型层(9)下面设置着栅极(8)，第二高浓度n型层(6)下面设置着源极(7)。制备时，去除衬底和缓冲层后再制作电极。本发明在发光二极管的基础上增加一个栅极控制区，制备成电流可控的大功率发光晶体管，可应用于照明领域。 【专利类型】发明授权 【申请人】华南师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510630 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】天河区 【申请号】CN200810028447.4 【申请日】2008-05-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101290960B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101290960B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/36 【发明人】郭志友; 赵华雄; 孙慧卿; 曾坤; 高小奇; 张建中; 范广涵 【主权项内容】一种大功率发光晶体管，其特征在于第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征层(5)上面覆盖着第三高浓度n型层(4)，第三高浓度n型层(4)上面依次生长着量子阱层(3)和p型层(2)，p型层(2)上设置着漏极(1)，低浓度n型层(9)下面设置着栅极(8)，第二高浓度n型层(6)下面设置着源极(7)。 【当前权利人】华南师范大学 【当前专利权人地址】广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124400004558589190 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0
