【摘要】 本发明涉及负极箔技术领域，特别涉及电解电容器用负极箔的制备工艺，包括以下步骤：箔片清洗、镀钛金属膜、浸渍和干燥固化，在箔片镀上一层钛金属膜，大大提高负极箔介电层的介电常数ε，使得负极箔介电层的介电常数ε较现有技术的介电常数高5～15倍，在同等比表面的条件下可以大幅度提高负极箔的容量；此外，硅烷偶联剂经过固化处理后，在钛金属层表面形成一层保护层，阻隔了空气中的氧气跟铝箔接触，避免铝氧化引起的劣化作用，改善钛金属膜在空气中的稳定性，确保了钛金属膜正常发挥作用。 【专利类型】发明授权 【申请人】东莞市东阳光电容器有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】523853 广东省东莞市长安镇锦厦河东三路东莞市东阳光电容器有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】东莞市 【申请人区县】东莞市 【申请号】CN200810029811.9 【申请日】2008-07-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101425379B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101425379B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01G9/04; H01G9/045; C23G1/00; C23C14/26; C23C14/16 【发明人】江国东 【主权项内容】电解电容器用负极箔的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、箔片清洗：将箔片置于0.2～0.5mol/L的氢氧化钠或磷酸溶液中清洗10～60秒；b、镀钛金属膜：采用电子束蒸镀的方式在箔片表面沉积一层钛金属膜；c、浸渍：将经过镀钛金属膜的箔片浸入硅烷偶联剂溶液中，浸渍时间为8～20秒；d、干燥固化：将浸渍后的箔片进行干燥固化处理，处理温度为60～100℃，处理时间为10～60分钟，硅烷偶联剂在干燥固化过程中发生聚合反应，形成一层硅胶保护层，在镀有钛金属膜的箔片外表面形成一层硅胶保护层，即形成电解电容器用负极箔。 ： 【当前权利人】东莞市东阳光电容器有限公司 【当前专利权人地址】广东省东莞市长安镇锦厦河东三路东莞市东阳光电容器有限公司 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】914419007510898861 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7
